CSD25213W10

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	CSD25213W10
Costruttore / Marca:	N/A
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	144868 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 144868 pcs

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Specifiche di CSD25213W10

Modello di prodotti	CSD25213W10	fabbricante	N/A
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	144868 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	1.1V @ 250µA	Vgs (Max)	-6V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	4-DSBGA (1x1)
Serie	NexFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	47 mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	4-UFBGA, DSBGA	Altri nomi	296-40004-1
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	478pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.9nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	P-Channel 20V 1.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.6A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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