TPS1101DRG4

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TPS1101DRG4
Costruttore / Marca:	N/A
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	100971 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 100971 pcs

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Specifiche di TPS1101DRG4

Modello di prodotti	TPS1101DRG4	fabbricante	N/A
Descrizione	MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	100971 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	+2V, -15V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	90 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	791mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11.25nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	15V
Descrizione dettagliata	P-Channel 15V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.3A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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