EDB4064B4PB-1D-F-D

Micron Technology

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	EDB4064B4PB-1D-F-D
Costruttore / Marca:	Micron Technology
Descrizione del prodotto	IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
Specifiche:	EDB4064B4PB-1D-F-D.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	7222 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7222 pcs

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1680 pcs: $4.57

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Specifiche di EDB4064B4PB-1D-F-D

Modello di prodotti	EDB4064B4PB-1D-F-D	fabbricante	Micron Technology
Descrizione	IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	7222 pcs	Scheda dati	EDB4064B4PB-1D-F-D.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina	-	Tensione di alimentazione -	1.14 V ~ 1.95 V
Tecnologia	SDRAM - Mobile LPDDR2	Contenitore dispositivo fornitore	216-WFBGA (12x12)
Serie	-	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	216-WFBGA	temperatura di esercizio	-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)
Tipo di memoria	Volatile	Dimensione della memoria	4Gb (64M x 64)
Interfaccia di memoria	Parallel	Formato di memoria	DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Descrizione dettagliata	SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (64M x 64) Parallel 533MHz 216-WFBGA (12x12)
Frequenza dell'orologio	533MHz

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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