1N6628US

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	1N6628US
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF
Specifiche:	1N6628US.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	3863 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3863 pcs

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Specifiche di 1N6628US

Modello di prodotti	1N6628US	fabbricante	Microsemi
Descrizione	DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	3863 pcs	Scheda dati	1N6628US.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	1.35V @ 2A	Tensione - inversa (Vr) (max)	660V
Contenitore dispositivo fornitore	A-MELF	Velocità	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Tempo di ripristino inverso (trr)	30ns
imballaggio	Bulk	Contenitore / involucro	SQ-MELF, A
Temperatura di funzionamento - Giunzione	-65°C ~ 150°C	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo	Standard	Descrizione dettagliata	Diode Standard 660V 1.75A Surface Mount A-MELF
Corrente - Dispersione inversa a Vr	2µA @ 660V	Corrente - raddrizzata media (Io)	1.75A
Capacità a Vr, F	40pF @ 10V, 1MHz

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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