APT10090BLLG

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APT10090BLLG
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
Specifiche:	1.APT10090BLLG.pdf 2.APT10090BLLG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4418 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4418 pcs

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Specifiche di APT10090BLLG

Modello di prodotti	APT10090BLLG	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4418 pcs	Scheda dati	1.APT10090BLLG.pdf 2.APT10090BLLG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247 [B]
Serie	POWER MOS 7®	Rds On (max) a Id, Vgs	950 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	298W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1969pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	71nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	1000V	Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 12A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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