APT10M07JVR

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APT10M07JVR
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
Specifiche:	APT10M07JVR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5829 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5829 pcs

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Specifiche di APT10M07JVR

Modello di prodotti	APT10M07JVR	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5829 pcs	Scheda dati	APT10M07JVR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 5mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	ISOTOP®
Serie	POWER MOS V®	Dissipazione di potenza (max)	700W (Tc)
imballaggio	Tube	Contenitore / involucro	SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	21600pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1050nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 225A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	225A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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