APT32F120J

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APT32F120J
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
Specifiche:	1.APT32F120J.pdf 2.APT32F120J.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	2364 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2364 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

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Specifiche di APT32F120J

Modello di prodotti	APT32F120J	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	2364 pcs	Scheda dati	1.APT32F120J.pdf 2.APT32F120J.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	ISOTOP®
Serie	POWER MOS 8™	Rds On (max) a Id, Vgs	320 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	960W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	SOT-227-4, miniBLOC	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	18200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	560nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	1200V	Descrizione dettagliata	N-Channel 1200V 33A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	33A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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