APT44F80B2

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APT44F80B2
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX
Specifiche:	1.APT44F80B2.pdf 2.APT44F80B2.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3317 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3317 pcs

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Specifiche di APT44F80B2

Modello di prodotti	APT44F80B2	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3317 pcs	Scheda dati	1.APT44F80B2.pdf 2.APT44F80B2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	T-MAX™ [B2]
Serie	POWER MOS 8™	Rds On (max) a Id, Vgs	210 mOhm @ 24A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1135W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3 Variant	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9330pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	305nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	800V	Descrizione dettagliata	N-Channel 800V 47A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	47A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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