APT45GP120J

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APT45GP120J
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Specifiche:	1.APT45GP120J.pdf 2.APT45GP120J.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3063 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3063 pcs

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Specifiche di APT45GP120J

Modello di prodotti	APT45GP120J	fabbricante	Microsemi
Descrizione	IGBT 1200V 75A 329W SOT227	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3063 pcs	Scheda dati	1.APT45GP120J.pdf 2.APT45GP120J.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	1200V	Vce (on) (max) a VGE, Ic	3.9V @ 15V, 45A
Contenitore dispositivo fornitore	ISOTOP®	Serie	POWER MOS 7®
Potenza - Max	329W	Contenitore / involucro	ISOTOP
Altri nomi	APT45GP120JMI APT45GP120JMI-ND	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Termistore NTC	No	Tipo montaggio	Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	3.94nF @ 25V	Ingresso	Standard
Tipo IGBT	PT	Descrizione dettagliata	IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP®
Corrente - Cutoff collettore (max)	500µA	Corrente - collettore (Ic) (max)	75A
Configurazione	Single

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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