APTC60AM35T1G

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTC60AM35T1G
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
Specifiche:	1.APTC60AM35T1G.pdf 2.APTC60AM35T1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	2262 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2262 pcs

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Specifiche di APTC60AM35T1G

Modello di prodotti	APTC60AM35T1G	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	2262 pcs	Scheda dati	1.APTC60AM35T1G.pdf 2.APTC60AM35T1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.9V @ 5.4mA	Contenitore dispositivo fornitore	SP1
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	35 mOhm @ 72A, 10V
Potenza - Max	416W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP1	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	14000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	518nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	Standard	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 72A 416W Chassis Mount SP1	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	72A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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