APTC90AM60T1G

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTC90AM60T1G
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1
Specifiche:	APTC90AM60T1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	1267 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1267 pcs

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Specifiche di APTC90AM60T1G

Modello di prodotti	APTC90AM60T1G	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	1267 pcs	Scheda dati	APTC90AM60T1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.5V @ 6mA	Contenitore dispositivo fornitore	SP1
Serie	CoolMOS™	Rds On (max) a Id, Vgs	60 mOhm @ 52A, 10V
Potenza - Max	462W	imballaggio	Tray
Contenitore / involucro	SP1	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	13600pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	540nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	Super Junction	Tensione drain-source (Vdss)	900V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP1	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	59A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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