APTM08TAM04PG

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTM08TAM04PG
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
Specifiche:	1.APTM08TAM04PG.pdf 2.APTM08TAM04PG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	1197 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1197 pcs

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Specifiche di APTM08TAM04PG

Modello di prodotti	APTM08TAM04PG	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	1197 pcs	Scheda dati	1.APTM08TAM04PG.pdf 2.APTM08TAM04PG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	SP6-P
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	4.5 mOhm @ 60A, 10V
Potenza - Max	138W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP6	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4530pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	153nC @ 10V	Tipo FET	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caratteristica FET	Standard	Tensione drain-source (Vdss)	75V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 120A 138W Chassis Mount SP6-P	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	120A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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