APTM100H80FT1G

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTM100H80FT1G
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
Specifiche:	1.APTM100H80FT1G.pdf 2.APTM100H80FT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6210 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6210 pcs

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Specifiche di APTM100H80FT1G

Modello di prodotti	APTM100H80FT1G	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6210 pcs	Scheda dati	1.APTM100H80FT1G.pdf 2.APTM100H80FT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	SP1
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	960 mOhm @ 9A, 10V
Potenza - Max	208W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP1	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3876pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V	Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET	Standard	Tensione drain-source (Vdss)	1000V (1kV)
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 11A 208W Chassis Mount SP1	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	11A

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Post-Vendita
Specifiche

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