APTM10DAM02G

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTM10DAM02G
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 495A SP6
Specifiche:	1.APTM10DAM02G.pdf 2.APTM10DAM02G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	972 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 972 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

100 pcs: $39.494

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Specifiche di APTM10DAM02G

Modello di prodotti	APTM10DAM02G	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 495A SP6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	972 pcs	Scheda dati	1.APTM10DAM02G.pdf 2.APTM10DAM02G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 10mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SP6
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2.5 mOhm @ 200A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1250W (Tc)	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP6	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	40000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1360nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 495A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount SP6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	495A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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