APTM10HM19FT3G

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTM10HM19FT3G
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
Specifiche:	1.APTM10HM19FT3G.pdf 2.APTM10HM19FT3G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	1842 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1842 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

100 pcs: $18.284

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Specifiche di APTM10HM19FT3G

Modello di prodotti	APTM10HM19FT3G	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	1842 pcs	Scheda dati	1.APTM10HM19FT3G.pdf 2.APTM10HM19FT3G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	SP3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	21 mOhm @ 35A, 10V
Potenza - Max	208W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP3	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5100pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	200nC @ 10V	Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET	Standard	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	70A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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