APTM120U10SAG

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTM120U10SAG
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Specifiche:	1.APTM120U10SAG.pdf 2.APTM120U10SAG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	570 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 570 pcs

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Specifiche di APTM120U10SAG

Modello di prodotti	APTM120U10SAG	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 116A SP6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	570 pcs	Scheda dati	1.APTM120U10SAG.pdf 2.APTM120U10SAG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 20mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SP6
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	120 mOhm @ 58A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3290W (Tc)	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP6	Altri nomi	APTM120U10SAGMI APTM120U10SAGMI-ND
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	28900pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1100nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	1200V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1200V 116A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	116A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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