APTM20AM05FG

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTM20AM05FG
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6
Specifiche:	1.APTM20AM05FG.pdf 2.APTM20AM05FG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	526 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 526 pcs

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Specifiche di APTM20AM05FG

Modello di prodotti	APTM20AM05FG	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	526 pcs	Scheda dati	1.APTM20AM05FG.pdf 2.APTM20AM05FG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 10mA	Contenitore dispositivo fornitore	SP6
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	5 mOhm @ 158.5A, 10V
Potenza - Max	1136W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP6	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	27400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	448nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	Standard	Tensione drain-source (Vdss)	200V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 200V 317A 1136W Chassis Mount SP6	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	317A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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