APTM50DHM38G

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTM50DHM38G
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
Specifiche:	1.APTM50DHM38G.pdf 2.APTM50DHM38G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	998 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 998 pcs

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Specifiche di APTM50DHM38G

Modello di prodotti	APTM50DHM38G	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	998 pcs	Scheda dati	1.APTM50DHM38G.pdf 2.APTM50DHM38G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 5mA	Contenitore dispositivo fornitore	SP6
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	45 mOhm @ 45A, 10V
Potenza - Max	694W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP6	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	246nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET	Standard	Tensione drain-source (Vdss)	500V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 500V 90A 694W Chassis Mount SP6	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	90A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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