APTM50H14FT3G

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTM50H14FT3G
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
Specifiche:	1.APTM50H14FT3G.pdf 2.APTM50H14FT3G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	1177 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1177 pcs

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Specifiche di APTM50H14FT3G

Modello di prodotti	APTM50H14FT3G	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	1177 pcs	Scheda dati	1.APTM50H14FT3G.pdf 2.APTM50H14FT3G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	SP3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	168 mOhm @ 13A, 10V
Potenza - Max	208W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP3	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3259pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V	Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET	Standard	Tensione drain-source (Vdss)	500V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 26A 208W Chassis Mount SP3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	26A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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