APTMC120AM09CT3AG

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTMC120AM09CT3AG
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F
Specifiche:	APTMC120AM09CT3AG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	115 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 115 pcs

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Specifiche di APTMC120AM09CT3AG

Modello di prodotti	APTMC120AM09CT3AG	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	115 pcs	Scheda dati	APTMC120AM09CT3AG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.4V @ 40mA (Typ)	Contenitore dispositivo fornitore	SP3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	9 mOhm @ 200A, 20V
Potenza - Max	1250W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP3	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11000pF @ 1000V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	644nC @ 20V	Tipo FET	2 N Channel (Phase Leg)
Caratteristica FET	Silicon Carbide (SiC)	Tensione drain-source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 295A (Tc) 1250W Chassis Mount SP3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	295A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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