APTMC120TAM33CTPAG

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTMC120TAM33CTPAG
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P
Specifiche:	APTMC120TAM33CTPAG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	122 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 122 pcs

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Specifiche di APTMC120TAM33CTPAG

Modello di prodotti	APTMC120TAM33CTPAG	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	122 pcs	Scheda dati	APTMC120TAM33CTPAG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.2V @ 3mA (Typ)	Contenitore dispositivo fornitore	SP6-P
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	33 mOhm @ 60A, 20V
Potenza - Max	370W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP6	Altri nomi	APTMC120TAM33CTPACC6543
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2850pF @ 1000V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	148nC @ 20V
Tipo FET	6 N-Channel (3-Phase Bridge)	Caratteristica FET	Silicon Carbide (SiC)
Tensione drain-source (Vdss)	1200V (1.2kV)	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 78A (Tc) 370W Chassis Mount SP6-P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	78A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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