JAN1N5622US

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	JAN1N5622US
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Specifiche:	JAN1N5622US.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	8658 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8658 pcs

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Specifiche di JAN1N5622US

Modello di prodotti	JAN1N5622US	fabbricante	Microsemi
Descrizione	DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	8658 pcs	Scheda dati	JAN1N5622US.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	1.3V @ 3A	Tensione - inversa (Vr) (max)	1000V
Contenitore dispositivo fornitore	D-5A	Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie	Military, MIL-PRF-19500/427	Tempo di ripristino inverso (trr)	2µs
imballaggio	Bulk	Contenitore / involucro	SQ-MELF, A
Altri nomi	1086-2115 1086-2115-MIL	Temperatura di funzionamento - Giunzione	-65°C ~ 200°C
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Tipo diodo	Standard
Descrizione dettagliata	Diode Standard 1000V 1A Surface Mount D-5A	Corrente - Dispersione inversa a Vr	500nA @ 1000V
Corrente - raddrizzata media (Io)	1A	Capacità a Vr, F	-

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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