JAN1N5811US

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	JAN1N5811US
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
Specifiche:	JAN1N5811US.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	10084 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 10084 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

100 pcs: $3.698

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Specifiche di JAN1N5811US

Modello di prodotti	JAN1N5811US	fabbricante	Microsemi
Descrizione	DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	10084 pcs	Scheda dati	JAN1N5811US.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	875mV @ 4A	Tensione - inversa (Vr) (max)	150V
Contenitore dispositivo fornitore	B, SQ-MELF	Velocità	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	Military, MIL-PRF-19500/477	Tempo di ripristino inverso (trr)	30ns
imballaggio	Bulk	Contenitore / involucro	SQ-MELF, B
Altri nomi	1086-2127 1086-2127-MIL Q9178857	Temperatura di funzionamento - Giunzione	-65°C ~ 175°C
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Tipo diodo	Standard
Descrizione dettagliata	Diode Standard 150V 6A Surface Mount B, SQ-MELF	Corrente - Dispersione inversa a Vr	5µA @ 150V
Corrente - raddrizzata media (Io)	6A	Capacità a Vr, F	60pF @ 10V, 1MHz

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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