JAN1N6641US

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	JAN1N6641US
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
Specifiche:	JAN1N6641US.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	7002 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7002 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

100 pcs: $4.171

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Specifiche di JAN1N6641US

Modello di prodotti	JAN1N6641US	fabbricante	Microsemi
Descrizione	DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	7002 pcs	Scheda dati	JAN1N6641US.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	1.1V @ 300mA	Tensione - inversa (Vr) (max)	50V
Contenitore dispositivo fornitore	D-5B	Velocità	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	Military, MIL-PRF-19500/609	Tempo di ripristino inverso (trr)	5ns
imballaggio	Bulk	Contenitore / involucro	SQ-MELF, B
Altri nomi	1086-20018 1086-20018-MIL	Temperatura di funzionamento - Giunzione	-65°C ~ 175°C
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Tipo diodo	Standard
Descrizione dettagliata	Diode Standard 50V 300mA Surface Mount D-5B	Corrente - Dispersione inversa a Vr	100nA @ 50V
Corrente - raddrizzata media (Io)	300mA	Capacità a Vr, F	-

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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