JAN2N7335

Microsemi Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	JAN2N7335
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Specifiche:	JAN2N7335.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	5789 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5789 pcs

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Specifiche di JAN2N7335

Modello di prodotti	JAN2N7335	fabbricante	Microsemi Corporation
Descrizione	MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	5789 pcs	Scheda dati	JAN2N7335.pdf
Tensione - Prova	-	Vgs (th) (max) a Id	1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Serie	Military, MIL-PRF-19500/599	Stato RoHS	Bulk
Rds On (max) a Id, Vgs	750mA	Potenza - Max	1.4W
Polarizzazione	14-DIP (0.300", 7.62mm)	Altri nomi	JAN2N7335-MIL
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	JAN2N7335
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA
Caratteristica FET	4 P-Channel	Descrizione espansione	Mosfet Array 4 P-Channel 100V 750mA 1.4W Through Hole
Tensione drain-source (Vdss)	Standard	Descrizione	MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100V

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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