SG2013J-883B

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SG2013J-883B
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Specifiche:	SG2013J-883B.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	1329 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1329 pcs

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Specifiche di SG2013J-883B

Modello di prodotti	SG2013J-883B	fabbricante	Microsemi
Descrizione	TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	1329 pcs	Scheda dati	SG2013J-883B.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	1.9V @ 600µA, 500mA
Tipo transistor	7 NPN Darlington	Contenitore dispositivo fornitore	16-CDIP
Serie	-	Potenza - Max	-
imballaggio	Tube	Contenitore / involucro	-
Altri nomi	1259-1108 1259-1108-MIL	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Frequenza - transizione	-
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	900 @ 500mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)	-	Corrente - collettore (Ic) (max)	600mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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