A2T18S262W12NR3

NXP Semiconductors / Freescale

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	A2T18S262W12NR3
Costruttore / Marca:	NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione del prodotto	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Specifiche:
Condizione di scorta	1424 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1424 pcs

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Specifiche di A2T18S262W12NR3

Modello di prodotti	A2T18S262W12NR3	fabbricante	NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	1424 pcs	Scheda dati
Tensione - Prova	28V	Tensione - nominale	65V
Tipo transistor	LDMOS	Contenitore dispositivo fornitore	OM-880X-2L2L
Serie	-	Alimentazione - uscita	231W
Contenitore / involucro	OM-880X-2L2L	Altri nomi	935346497528
Figura di rumore	-	Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)
Guadagno	19.3dB	Frequenza	1.805GHz ~ 1.88GHz
Descrizione dettagliata	RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L	Valutazione attuale	10µA
Corrente - Test	1.6A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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