PSMN017-30LL,115

NXP Semiconductors / Freescale

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	PSMN017-30LL,115
Costruttore / Marca:	NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH QFN3333
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3460 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3460 pcs

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Specifiche di PSMN017-30LL,115

Modello di prodotti	PSMN017-30LL,115	fabbricante	NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione	MOSFET N-CH QFN3333	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3460 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	2.15V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-DFN3333 (3.3x3.3)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	17 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	37W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-VDFN Exposed Pad	Altri nomi	568-5580-1 PSMN01730LL115
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	526pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 15A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount 8-DFN3333 (3.3x3.3)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	15A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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