PSMN8R5-108ESQ

NXP Semiconductors / Freescale

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	PSMN8R5-108ESQ
Costruttore / Marca:	NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6172 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6172 pcs

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Specifiche di PSMN8R5-108ESQ

Modello di prodotti	PSMN8R5-108ESQ	fabbricante	NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione	MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6172 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I2PAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	8.5 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	263W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Altri nomi	568-11432-5 934068134127
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5512pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	111nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	108V
Descrizione dettagliata	N-Channel 108V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole I2PAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tj)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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