PHN210T,118

Nexperia

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	PHN210T,118
Costruttore / Marca:	Nexperia
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Specifiche:	PHN210T,118.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	438282 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 438282 pcs

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Specifiche di PHN210T,118

Modello di prodotti	PHN210T,118	fabbricante	Nexperia
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	438282 pcs	Scheda dati	PHN210T,118.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.8V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	TrenchMOS™	Rds On (max) a Id, Vgs	100 mOhm @ 2.2A, 10V
Potenza - Max	2W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	1727-1546-2 568-11062-2 568-11062-2-ND 934055451118 PHN210T /T3 PHN210T /T3-ND PHN210T,118-ND
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	-

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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