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PSMN070-200P,127

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Nexperia
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: PSMN070-200P,127
Costruttore / Marca: Nexperia
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB
Specifiche: PSMN070-200P,127.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta 3631 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 3631 pcs
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Specifiche di PSMN070-200P,127

Modello di prodotti PSMN070-200P,127 fabbricante Nexperia
Descrizione MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS
quantità disponibile 3631 pcs Scheda dati PSMN070-200P,127.pdf
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB
Serie TrenchMOS™ Rds On (max) a Id, Vgs 70 mOhm @ 17A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3 Altri nomi 1727-4662
568-5779
568-5779-5
568-5779-5-ND
568-5779-ND
934055718127
PSMN070-200P
PSMN070-200P,127-ND
PSMN070-200P-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4570pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 200V
Descrizione dettagliata N-Channel 200V 35A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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