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Nexperia
| Modello di prodotti | PSMN102-200Y,115 | fabbricante | Nexperia |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS |
| quantità disponibile | 138932 pcs | Scheda dati | PSMN102-200Y,115.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
| Serie | TrenchMOS™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 102 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 113W (Tc) | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | Altri nomi | 1727-5227-2 568-6544-2 568-6544-2-ND 934061323115 PSMN102-200Y T/R PSMN102-200Y T/R-ND PSMN102-200Y,115-ND PSMN102200Y115 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1568pF @ 30V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30.7nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 200V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 21.5A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| UPS | www.UPS.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| TNT | www.TNT.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
