SCT20N120

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SCT20N120
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Specifiche:	1.SCT20N120.pdf 2.SCT20N120.pdf 3.SCT20N120.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6571 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6571 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

1 pcs: $5.335

30 pcs: $4.70

120 pcs: $4.141

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Specifiche di SCT20N120

Modello di prodotti	SCT20N120	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6571 pcs	Scheda dati	1.SCT20N120.pdf 2.SCT20N120.pdf 3.SCT20N120.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.5V @ 1mA	Vgs (Max)	+25V, -10V
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)	Contenitore dispositivo fornitore	HiP247™
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	290 mOhm @ 10A, 20V
Dissipazione di potenza (max)	175W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	Altri nomi	497-15170
temperatura di esercizio	-55°C ~ 200°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 400V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 20V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	20V	Tensione drain-source (Vdss)	1200V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1200V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
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