STB7ANM60N

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STB7ANM60N
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V DPAK
Specifiche:	STB7ANM60N.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	63625 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 63625 pcs

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Specifiche di STB7ANM60N

Modello di prodotti	STB7ANM60N	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 600V DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	63625 pcs	Scheda dati	STB7ANM60N.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250mA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D2PAK
Serie	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II	Rds On (max) a Id, Vgs	900 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	45W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	497-13935-2 STB7ANM60N-ND
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	363pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 5A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D2PAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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