STFI20N65M5

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STFI20N65M5
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
Specifiche:	STFI20N65M5.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	21796 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21796 pcs

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Specifiche di STFI20N65M5

Modello di prodotti	STFI20N65M5	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	21796 pcs	Scheda dati	STFI20N65M5.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I2PAKFP (TO-281)
Serie	MDmesh™ V	Rds On (max) a Id, Vgs	190 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	130W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Altri nomi	497-13533
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1345pF @ 100V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 18A (Tc) 130W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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