STFI5N80K5

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STFI5N80K5
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 800V 4A I2PAKFP
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5484 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5484 pcs

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Specifiche di STFI5N80K5

Modello di prodotti	STFI5N80K5	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 4A I2PAKFP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5484 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I2PAKFP (TO-281)
Serie	MDmesh™ K5	Rds On (max) a Id, Vgs	1.75 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	20W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-262-3 Full Pack, I²Pak	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	177pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	800V	Descrizione dettagliata	N-Channel 800V 4A (Tc) 20W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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