STFW12N120K5

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STFW12N120K5
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1200V 12A TO-3PF
Specifiche:	1.STFW12N120K5.pdf 2.STFW12N120K5.pdf 3.STFW12N120K5.pdf 4.STFW12N120K5.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	7990 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7990 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

1 pcs: $4.429

10 pcs: $3.985

300 pcs: $3.011

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Specifiche di STFW12N120K5

Modello di prodotti	STFW12N120K5	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 12A TO-3PF	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	7990 pcs	Scheda dati	1.STFW12N120K5.pdf 2.STFW12N120K5.pdf 3.STFW12N120K5.pdf 4.STFW12N120K5.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	ISOWATT-218FX
Serie	MDmesh™ K5	Rds On (max) a Id, Vgs	690 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	63W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	ISOWATT218FX	Altri nomi	497-17908 STFW12N120K5-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 100V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	44.2nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	1200V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1200V 12A (Tc) 63W (Tc) Through Hole ISOWATT-218FX	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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