STH180N4F6-2

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STH180N4F6-2
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	64582 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 64582 pcs

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Specifiche di STH180N4F6-2

Modello di prodotti	STH180N4F6-2	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	64582 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	H2Pak-2
Serie	STripFET™ F6	Rds On (max) a Id, Vgs	2.4 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	190W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7735pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	40V	Descrizione dettagliata	N-Channel 40V 120A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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