STH310N10F7-2

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STH310N10F7-2
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Specifiche:	STH310N10F7-2.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	20708 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 20708 pcs

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Specifiche di STH310N10F7-2

Modello di prodotti	STH310N10F7-2	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	20708 pcs	Scheda dati	STH310N10F7-2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.8V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	H2Pak-2
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII	Rds On (max) a Id, Vgs	2.5 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	315W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	497-13585-2 STH310N10F72
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	12800pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2Pak-2	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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