STH52N10LF3-2AG

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STH52N10LF3-2AG
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	87392 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 87392 pcs

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Specifiche di STH52N10LF3-2AG

Modello di prodotti	STH52N10LF3-2AG	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	87392 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	H2Pak-2
Serie	STripFET™ F3	Rds On (max) a Id, Vgs	20 mOhm @ 26A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18.5nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 52A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	52A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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