STI30NM60N

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STI30NM60N
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Specifiche:	STI30NM60N.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	15150 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 15150 pcs

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Specifiche di STI30NM60N

Modello di prodotti	STI30NM60N	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	15150 pcs	Scheda dati	STI30NM60N.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I2PAK
Serie	MDmesh™ II	Rds On (max) a Id, Vgs	130 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	190W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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