STL110N10F7

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STL110N10F7
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6
Specifiche:	STL110N10F7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	30156 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 30156 pcs

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1 pcs: $1.163

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Specifiche di STL110N10F7

Modello di prodotti	STL110N10F7	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	30156 pcs	Scheda dati	STL110N10F7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PowerFlat™ (5x6)
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII	Rds On (max) a Id, Vgs	6 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	136W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerVDFN	Altri nomi	497-13877-1
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5117pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 107A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	107A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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