STL12N65M2

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STL12N65M2
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56
Specifiche:	STL12N65M2.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	37821 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 37821 pcs

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Specifiche di STL12N65M2

Modello di prodotti	STL12N65M2	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	37821 pcs	Scheda dati	STL12N65M2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PowerFlat™ (5x6) HV
Serie	MDmesh™	Rds On (max) a Id, Vgs	750 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	48W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerVDFN	Altri nomi	497-15054-1
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	410pF @ 100V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 5A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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