STL38N65M5

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STL38N65M5
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X
Specifiche:	STL38N65M5.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	9346 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 9346 pcs

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Specifiche di STL38N65M5

Modello di prodotti	STL38N65M5	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	9346 pcs	Scheda dati	STL38N65M5.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PowerFlat™ (8x8) HV
Serie	MDmesh™ V	Rds On (max) a Id, Vgs	105 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 150W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerVDFN	Altri nomi	497-13878-1
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 100V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	71nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 3.5A (Ta), 22.5A (Tc) 2.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A (Ta), 22.5A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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