STLD125N4F6AG

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STLD125N4F6AG
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Specifiche:	STLD125N4F6AG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	33859 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 33859 pcs

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Specifiche di STLD125N4F6AG

Modello di prodotti	STLD125N4F6AG	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	33859 pcs	Scheda dati	STLD125N4F6AG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PowerFlat™ (5x6) Dual Side
Serie	STripFET™ F6	Rds On (max) a Id, Vgs	3 mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	130W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerWDFN	Altri nomi	497-17147-1
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5600pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	40V
Descrizione dettagliata	N-Channel 40V 120A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) Dual Side	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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