STN2NE10

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STN2NE10
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
Specifiche:	STN2NE10.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	249118 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 249118 pcs

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Specifiche di STN2NE10

Modello di prodotti	STN2NE10	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	249118 pcs	Scheda dati	STN2NE10.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-223
Serie	STripFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	400 mOhm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-261-4, TO-261AA	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	305pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 2A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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