STP26NM60ND

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STP26NM60ND
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Specifiche:	STP26NM60ND.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5974 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5974 pcs

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Specifiche di STP26NM60ND

Modello di prodotti	STP26NM60ND	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 21A TO220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5974 pcs	Scheda dati	STP26NM60ND.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220
Serie	FDmesh™ II	Rds On (max) a Id, Vgs	175 mOhm @ 10.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	190W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	Altri nomi	497-14219-5 STP26NM60ND-ND
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1817pF @ 100V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	54.6nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 21A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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