STS19N3LLH6

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STS19N3LLH6
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
Specifiche:	STS19N3LLH6.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3471 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3471 pcs

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Specifiche di STS19N3LLH6

Modello di prodotti	STS19N3LLH6	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3471 pcs	Scheda dati	STS19N3LLH6.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VI	Rds On (max) a Id, Vgs	5.6 mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.7W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	497-12677-2 STS19N3LLH6-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1690pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 15V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 19A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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