STU1HN60K3

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STU1HN60K3
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
Specifiche:	STU1HN60K3.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	74385 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 74385 pcs

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Specifiche di STU1HN60K3

Modello di prodotti	STU1HN60K3	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	74385 pcs	Scheda dati	STU1HN60K3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I-PAK
Serie	SuperMESH3™	Rds On (max) a Id, Vgs	8 Ohm @ 600mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	27W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Altri nomi	497-13787-5
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 1.2A (Tc) 27W (Tc) Through Hole I-PAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.2A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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