STW12NM60N

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STW12NM60N
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
Specifiche:	STW12NM60N.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	31818 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 31818 pcs

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600 pcs: $1.006

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Specifiche di STW12NM60N

Modello di prodotti	STW12NM60N	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 10A TO-247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	31818 pcs	Scheda dati	STW12NM60N.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247-3
Serie	MDmesh™	Rds On (max) a Id, Vgs	410 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	90W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	Altri nomi	497-7615-5 STW12NM60N-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-247-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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